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台积电宣布将建立全球首个2nm工厂

文章来源:365bet娱乐网  文章作者:365bet体育开户网址  发表时间:2019-09-29  浏览次数: 人次

Urin1010发表于2019年9月23日至15日:07
当然,没有兼容性。Duv和euv完全是两个过程。它们如何兼容?
显然,80%的产率未达到标准,90%的产率无法评估,并且无法开始批量生产。
Tsmc6nm与7DUV相同,与gldcompatible相同
N6标尺设计与N7兼容(e。

57mmM1间距,与N7相同)
与N7兼容的IP模型
将EUV光刻技术集成到受限制的FEOL层中:“利用N7 +和N5学习,比N7 +一层或多层EUV层”
严格的过程控制,比N7更快的循环时间
相同的参考流程,填充算法等
asN7
N7设计可通过简单地对NUV“重新记录”(RTO)来提高EUV掩模的光刻性能。
或者,对于N7设计,可以通过使用标准N6单元库(H240)并利用单元之间的“公共PODE”设备(CPODE)实现逻辑块来显示新输出(NTO)。逻辑块密度增加了约18%
20年1季度的生产风险(显示13级金属互连堆栈)
此设计与N7兼容,但N6也具有自己的功能。tsmc“ M0routing”的容量也增加了40%。
我真的不知道你的消息来自哪里。


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